Samsung Electronics Co.Ltd. telah memimpin teknologi DRAM dengan platform Green Memory yang ramah lingkungan. Dimulai pada tahun 1997 melalui DRAM DDR, kemudian tahun 2001 Samsung memperkenalkanDRAM DDR2 dan di tahun 2005 mengumumkan DRAM DDR3 yang menggunakan teknologi 80nm. Di akhir 2010 kembali Samsung mengabarkan telah berhasil mengembangkan DRAM DDR4 memakai proses teknologi 30nm ... wouw ... padahal kita baru saja pakai DDR3 karena menunggu terjangkaunya memory tersebut.
Dalam operasi baca/tulis (read/write) DDR4 ini diklaim mampu menghemat daya hingga 40% dibanding DDR3. Bandwidth maksimum sebesar 2.133 Gbps dicapai pada saat diberikan tegangan 1.2 Volt. Melalui Pseudo Open Drain (POD) yaitu suatu teknologi baru yang telah disesuaikan dengan kinerja tinggi DRAM Grafis untuk memungkinkan DDR4 hanya mengkonsumsi setengah (1/2) arus listrik dari DDR3.
Dengan arsitektur sirkuit baru diharapkan DDR4 dapat berjalan 1.6 Gbps - 3.2 Gbps. Samsung kini berencana bekerja sama dengan beberapa pembuat Server untuk memastikan penyelesaian standarisasi JEDEC bagiDDR4 pada semester kedua 2011.
